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SiR698DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
8
6
4
2
V GS = 10 V thr u 6 V
5 V
10
8
6
4
2
T C = 125 °C
0
3 V
4 V
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
0.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
320
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
2 8 0
0.4
240
C iss
0.3
0.2
0.1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
200
160
120
8 0
40
C oss
0.0
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
20
40 60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V DS = 50 V
I D = 2.5 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
8
1. 8
6
4
1.6
1.4
1.2
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
1
2 3 4
5
6
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 67918
S11-2524-Rev. A, 26-Dec-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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